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G1, L1-Serie
CSTBT IPM
Neben den IGBT-Chips sind diverse Treiber-, Überwachungs- und Schutzfunktionen im Modul integriert. Diese Funktionen sind optimal auf den verwendeten Chip abgestimmt. Durch diesen kompakten Aufbau eröffnen sich Möglichkeiten, die nur der Chiphersteller selbst realisieren kann, da direkt auf Chipebene "ohne lange Wege und Verzögerungszeiten" reagiert werden kann.
- IGBT-Chip mit CSTBT-Technologie
- Geringe Durchlassverluste (Vce(sat) = typ. 1,9V @ 1200V; typ. 1,5V @ 600V)
- Package compatibility with existing range of L-Series IPM
- New small package for 7 in 1, 50A/600V and 25A/1200V (Reduced package size by 32% of existing L-Series IPM
- Improved Power cycling capability
- Detection, protection and status indication for SC, OT (with On-chip temperature sensor) & UV
- Available from 25A to 150A/1200V and 50A to 300A/600V
- Up to 75A (1200V) and 150A (600V), Solder pin & screw types with same package foot size
- Newly developed L1-Series evaluation board is available on rquest
- Temperatursensor auf jedem Chip
- Gute EMV durch integrierte Anschaltzeit-Anpassung
- Treiberschaltung mit Überwachungsfunktionen (KS, Übertemp., UVLO) integriert
- kompakter Aufbau
Mitsubishi Electric is the technology leader in the field of IGBT modules - now in their 7th generation - and Intelligent Power Modules (IPM). The compact design offers significant advantages, especially for harsh environmental conditions such as in drive technology.
