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L-Serie
5. Generation CSTBT IPM
Wie im Blockschaltbild zu den IPM dargestellt, sind neben den IGBT-Chips diverse Treiber-, Überwachungs- und Schutzfunktionen im Modul integriert. Diese Funktionen sind optimal auf den verwendeten Chip abgestimmt. Durch diesen kompakten Aufbau eröffnen sich Möglichkeiten, die nur der Chiphersteller selbst realisieren kann, da direkt auf Chipebene "ohne lange Wege und Verzögerungszeiten" reagiert werden kann.
- 5. Generation IGBT Chip mit CSTBT™ Technologie
- Typical V(CEsat) = 1,8V @ Tj = 125°C for 660V and 1,9V @ Tj = 125°C for 1200V
- Integrated turn-on speed controller circuit optimises EMI performance
- On-chip temperature sensor for Tj detection of CSTBT™ chip
- Detection, protection and status indication circuits for short-circuit, over-temperature, and under-voltage
- Monolithic gate drive & production logic
- Treiber optimiert für Schaltfreq. bis 30kHz
- 600 V, 50 A oder 75 A
- Geringes Rauschen (kontrolliertes di/dt)
- 1-Phasen H-Brücke + IGBT für Aufwärtswandler
Mitsubishi Electric is the technology leader in the field of IGBT modules - now in their 7th generation - and Intelligent Power Modules (IPM). The compact design offers significant advantages, especially for harsh environmental conditions such as in drive technology.
