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Hochvolt IGBT-Module

Module mit einer Sperrspannung zwischen 1700 und 6500 V.

Neu hinzugekommen: Die X-Serie mit den IGBT-Modulen der 7. Generation, zu der LV100 sowie HV100 zählen. Die X-Serie bietet Halbbrücken-Module bis 6500 V sowie 1200 A mit IGBT-Chips der 7. Generation in einem nur 100 x 140 x 40 mm großen Gehäuse mit Aluminium-Baseplate.

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  • Highest Reliability in Material and Processes:
    Improvement of power cycling capability
  • High robust design
  • Highest Quality Contols:
    - Static and switching test
    - 100% shipping inspection
  • HVIGBT and HVDIODE modules are available in rated volatages of 1,7kV, 2,5kV, 3,3kV, 4,5kV, 6,5kV and rated currents ranging from 200A to 2400A
  • 1,7kV HVIGBT modules with Light Punch Through Carrier Stored Trench Gate Bipolar Transistor (ÖPT-CSTBT(TM) technology and a new free-wheel diode design for reduced IGBT losses and suooressed diode oscillation
  • 3,3kV, 4,5kV, 6,5kV HVIGBT modules and diodes with 10,2kV isolated package available
  • New 3,3kV, 4,5kV, 6,5kV R-series IGBT Modules
    - Increased rated current and low loss performance
    - Increased rated torque capability to 22Nm
    - 10,2kV high isolation package available on request
    - Extended operating temperature and minimum storage temperature up to 150°C and -55°C respectively
    - High Robustness (Wide SOA)
  • New 1,7kV 1200A Dual Hybrid SiC Module
    - New 6th Generation IGBT chip, CSTB(TM) (III)
    - Extended maximum operation temperature and minimum storage temperature up to 150°C and -50°C respectively
    SiC Schottky-Barrier Diode

Mitsubishi Electric ist Technologieführer im Bereich der IGBT-Module - mittlerweile in der 7. Generation - und Intelligenten Power-Module (IPM). Der kompakte Aufbau bietet gerade für raue Umgebungsbedingungen wie in der Antriebstechnik deutliche Vorteile.

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