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Super Mini Full SiC DIPIPM
Dual-in-line Package Intelligent Power Modules mit SiC-MOSFETs
Mitsubishi Electric hat das neue Super Mini Full SiC DIPIPM (im Folgenden Full SiC DIP genannt) für Konsumgüteranwendungen entwickelt. Full SiC DIP ist ein ultrakleines, kompaktes, transfergegossenes, intelligentes Leistungsmodul mit SiC MOSFET-Chip, der nächsten Generation von hocheffizienten Leistungschips. Leistungschips, Ansteuerungs- und Schutzschaltungen sind in dem Modul mit Transfer-Molding-Harz integriert.
Full SiC DIP kann den Wirkungsgrad des Wechselrichters durch die Einbettung von SiC MOSFET-Chips drastisch verbessern. Darüber hinaus ist das Full SiC DIP-Gehäuse zu 100% kompatibel mit der herkömmlichen Super Mini DIPIPM Ver.6-Serie. Diese Kompatibilität ermöglicht es, die vorhandenen konventionellen Wechselrichterplatinen problemlos zu verwenden und die Palette der installierten Systeme zu erweitern.
- Integrierter neu entwickelter SiC-MOSFET zur Verbesserung der Effizienz
- Keine negative Vorspannung durch Einbau eines MOSFET mit hoher Schwellenspannung
- Einzelne DC 18V Spannungsversorgung mit Bootstrappingschema.
- Sicherer Betrieb des SiC MOSFET durch Schutzfunktionen.
- Einfacher Austausch von konventionellen V.6 aufgrund von Pin- und Funktionskompatibilität.
Mitsubishi Electric ist Technologieführer im Bereich der IGBT-Module - mittlerweile in der 7. Generation - und Intelligenten Power-Module (IPM). Der kompakte Aufbau bietet gerade für raue Umgebungsbedingungen wie in der Antriebstechnik deutliche Vorteile.
