Transphorm

GaN-HEMTs und -module

Produktkategorien des Herstellers

MOSFETs, GaN-Schalter

Sowohl im Schaltnetzteil als auch in der Leistungselektronik...

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  • Entwickler haben Erfahrung mit GaN für HF- und LED-Anwendungen seit 2000
  • Zusammenarbeit mit Fujitsu GaN-Division
  • Produkte sind ab Lager lieferbar!

Zu allen Transphorm-Produkten gibt es:

  • Applikationsunterstützung 
  • SPICE Modelle
  • Entwicklungskits

 

Transphorm GaN FET Technology Performance

Eine Präsentation über die Vorzüge von Transphorm GaN-Halbleitern

Transphorm GaN FET Quality and Reliability Presentation

Eine Präsentation über die Qualität und Zuverlässigkeit von Transphorm GaN-Halbleitern

Transphorm GaN FET (HEMT) Technology versus SiC MOSFET Technology

Eine Präsentation über die Stärken von GaN-Halbleitern gegenüber SiC-MOSFETs

Transphorm's GaN FET versus e-Mode Introduction Presentation

Eine Präsentation über die Stärken von GaN-HEMTs in Cascode-beschaltung gegenüber E-Mode-Lösungen

Transphorm Cascode GaN FET Slewrate Control

Eine Präsentation über die Slew-Rate-Kontrolle bei Transphorm Cascode-HEMT-Schaltungen gegenüber E-Mode-HEMTs

Transphorm’s GaN FET Eliminates Need for Kelvin Connection

Wieso der Kelvin-Source-Pin bei Transphorm GaN-HEMTs nicht mehr erforderlich ist

Transphorm: Reference Design 3300 W Bridgeless Totem Pole PFC

Eine Präsentation (ohne Ton) über die Vorteile von GaN-Halbleitern in Totem Pole PFC-Schaltungen

Zwei SMD-GaN-FETs der dritten Generation neu bei HY-LINE Power Components

Mit einem 650-V-GaN-FET im PQFN-SMD-Gehäuse mit großem Source-Pin und einem mit großem Drain-Pin setzt Transphorm bei HY-LINE Power Components die Einführung der 3. Generation dieser leistungsfähigen Wide-Band-Halbleiterschalter fort.
Beide GaN-FETs... mehr

900-V-GaN-FET mit 50 mOhm im TO-247-Gehäuse

GaN gilt bislang als Material für niedrige Schaltspannungen. Mit einem von HY-LINE Power Components angebotenen 900-V-GaN-FET im TO-247-Gehäuse ist nun jedoch auch der Betrieb von Stromversorgungen mit GaN-Halbleitern an europäischen Drehstromnetzen... mehr

Hochzuverlässige GaN-FET mit nur 35 mOhm in 3. Generation

Wide-Gap-Halbleiter von HY-LINE Power Components bieten höhere Taktfrequenzen und geringere Schaltverluste, was beides zu kleineren, kompakten Stromversorgungen führt. Die Zuverlässigkeit ist so hoch, dass nun auch erstmals... mehr

500-W AC/DC-Frontendmodul mit GaN-Technologie

Portfolio und Support des Stromversorgungs- und Leistungselektronik-Spezialisten HY-LINE Power Components reichen von einzelnen Komponenten und Technologien bis zu kompletten Systemen. Konkret vertreibt HY-LINE nun die neuesten... mehr

Neue HY-LINE-Broschüre „Power im Fokus“

Das gesamte Lieferprogramm der HY-LINE Power Components für Leistungselektronik und Stromversorgungstechnik ist nun in einer mittlerweile 40-seitigen farbigen Broschüre vereint.
Stromversorgungen finden sich von kompakten Wandlermodulen ab 0,25... mehr

»High Electron Mobility Transistor – der HEMT«: Fachartikel von HY-LINE über Gallium-Nitrid-Halbleiter

MOSFETs sind inzwischen neben Hochfrequenz- auch Leistungsbauteile geworden. Doch auch andere Bauteile, die man eher mit HF in Verbindung bringt, sind im Power-Segment ebenso gut aufgehoben und
bringen dort große Vorteile. So der... mehr

»TO-247-Gehäuse verbessert Wirkungsgrad für 600-V-GaN-Transistoren«: Neuer Fachartikel über Gallium-Nitrid-Halbleiter von transphorm

Warum sich ein TO-247-Gehäuse gut für GaN-Transistoren eignet, demonstriert der von HY-LINE Power Components vertretene Hersteller Transphorm mit Messreihen an realen PFC-Schaltungen. Die Halbleiter schalten 600 V in wenigen Nanosekunden bei... mehr

GaN HEMTs im TO-247-Gehäuse ab Lager lieferbar bei HY-LINE Power Components

transphorm, vertreten vom Stromversorgungs- und Leistungselektronik-Spezialisten HY-LINE Power Components, fertigt High Electron Mobility-Transistoren aus Gallium-Nitrid (GaN HEMTs) im TO-220-, im PQFN- und nun mit dem TPH3205WS auch im... mehr

transphorm GaN-HEMTs jetzt auch im TO-247-Gehäuse lieferbar

Mit nur 63 mOhm Durchgangs-Widerstand und 34 A Dauer-Laststrom punktet der transphorm GaN-HEMT TPH3205WS im TO-247-Gehäuse, über dessen Entwicklung dieser Fachartikel in "Bodo's Power" berichtet. Erste Entwicklungsmuster sind verfügbar; bis zur... mehr

»Nicht nur für Hochfrequenz«: Neue Fachartikel über Gallium-Nitrid-Halbleiter von transphorm

Viel wurde über Gallium-Nitrid-Leistungshalbleiter in den letzten Jahren vorhergesagt. Doch nun ist diese Technologie marktreif und die Bauteile sind lieferbar mehr

Transphorm Produktübersicht

Die GaN-Technologie von Transphorm

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