SiC-MOSFETs treiben

Referenzdesign mit SCALE iDriver für Siliziumkarbid-MOSFETs und Induktivitäten für High- und Lowside-Versorgung

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Wie können die neuen SiC-Leistungsschalter richtig und sicher angesteuert werden? Dieses Referenzdesign führt zu schnellen Entwicklungserfolgen. Es nutzt bei HY-LINE Power Components erhältliche SiC-SCALE-iDriver sowie eine fertige Induktivität zur galvanisch getrennten Versorgung von High- und Lowside.

Zu den Si-MOSFET- und IGBT-SCALE-IDriver-Baureihen SID1182 und SID1183 können Sie bei uns ebenso Referenzdesigns erhalten, auch mit Power Boost für leistungen bis 400 kW. Sprechen Sie uns an!

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