Integrierter SiC-MOSFET Gate-Treiber bis 1200 V

13.06.2019

Die erfolgreiche SCALE iDriver-Familie im Vertrieb von HY-LINE Power Components hat Zuwachs bekommen – ein neuer Baustein bedient den zukunftsträchtigen Markt von SiC-MOSFET-Schaltern. Auch passende Induktivitäten und ein Reference Design stehen zur Verfügung.

SCALE iDriver können kompakt, kostengünstig und mit hoher Zuverlässigkeit Halbleiter-Leistungsschalter für Umrichter bis in den mehrstelligen kW-Leistungsbereich steuern. Sie lösen das Problem der prinzipiell leistungsarmen, doch infolge der hohen Kapazitäten doch mit höheren Strömen erfolgenden Ansteuerung der Gates von IGBTs und MOSFETs.

SiC-MOSFETs sind eine Option, bei hoher Spannung und Leistung noch schneller schalten zu können. Doch ergeben sich bei der Ansteuerung diverse Unterschiede: Der Pegel zum Einschalten ist höher als bei Silizium-Halbleitern, der zum Ausschalten variiert stark und ist mal höher, mal niedriger als bei Silizium. Missachtung führt zu unbefriedigenden Ergebnissen und der Gefahr, den SiC-MOSFET zu zerstören.

Deshalb gibt es nun einen SCALE iDriver, der speziell für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs mit 600 bis 1200 V Sperrspannung konstruiert ist. Er bietet für SiC-MOSFETs höhere Taktfrequenzen bis zu 150 kHz, schnelleren Überlast- und Kurzschlussschutz (Abschaltung innerhalb von 5 µS) mit Advanced Active Clamping, Spitzenausgangsströme von ± 8 A und erhöhte Isolation sowie Kriechstecken, die zukünftig auch UL1577 und VDE 0884-10 zertifiziert sein werden. Die Umgebungstemperatur darf zwischen -40°C und 125°C liegen.

Mit einem ebenfalls bei HY-LINE Power Components erhältlichen Referenz-Design und einem speziellen Übertrager, der die Versorgung von High und Low Side in Halbbrücken sicherstellt, sind komplette SiC-Umrichterstufen realisierbar, die in der Fotovoltaik, unterbrechungsfreien Stromversorgungen, Schweißumrichtern, Stromversorgungen und Servotreibern große Vorteile bringen.

Weitere Informationen erhalten Sie unter www.hy-line.de/sic-idriver

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