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Standard-Gehäuse NF-Serie
5. Generation IGBT Module
Diese Serie ist abgekündigt und somit nicht mehr bestellbar. Lassen Sie sich zu einem Ersatz für diese Serie von uns beraten.
- Verbindet 5. Generation CSTB(TM) (Carrier Stored Trench Gate Bipolar Transistor) Chip Technologie mit einem LPT (Light Punch-through) Wafer.
- Standard Halbbrücken-Gehäuse entspricht der gut eingeführten H-Serie
- Sehr guter thermischer Übergang durch AlN Isolations-Substrat
- Niedrige innere Induktivität
- auch erhältlich als Mega Power Dual IGBT Modul 1200V (900 & 1400A) und 1700V (1000A) für Höchstleistungs UPS, Distributed Power Generation and General Pupose Inverters (Chopper modules on request)
- Geringe Durchlassverluste
- Hohe Kurzschluss-Beständigkeit (Eigensättigung)
- Reduzierte Gate-Kapazität (geringer Treiberstrom)
- Geringer thermischer Übergangswiderstand
- Hohe Lastwechselfestigkeit
- Optimiertes Replacement für die H-Serie
Mitsubishi Electric is the technology leader in the field of IGBT modules - now in their 7th generation - and Intelligent Power Modules (IPM). The compact design offers significant advantages, especially for harsh environmental conditions such as in drive technology.
