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MOSFET-Module
3-Phasen Vollbrücken-Module bis 150V / 300A
Die angebotenen 3-Phasen Vollbrücken-Module basieren auf moderner MOSFET-Technologie und sind mit Sperrspannungen von 75 V, 100 V oder 150 V sowie wahlweise Strömen von 100 A, 200 A oder 300 A verfügbar. Damit decken sie ein breites Einsatzspektrum ab und bieten gleichzeitig hohe Flexibilität in der Systemauslegung.
Dank der fortschrittlichen 0,35 μm Trench-Gate-MOSFET-Chiptechnologie zeichnen sich die Module durch besonders niedrige VDS(ON)- und VSD-Werte aus, was zu geringen Leitverlusten und damit zu einem insgesamt höheren Wirkungsgrad führt. Die integrierte Avalanche-Fähigkeit sorgt sowohl beim Ausschalten als auch bei der Erholungsphase für einen zuverlässigen Betrieb, selbst unter anspruchsvollen Bedingungen.
Für eine einfache Integration sind die Module mit Steueranschlüssen für Standardstecker ausgestattet. Zudem verfügen sie über einen eingebauten NTC-Thermosensor zur Temperaturüberwachung, was die Betriebssicherheit weiter erhöht. Durch die Kombination aus moderner Halbleitertechnologie, hoher Zuverlässigkeit und anwenderfreundlicher Ausstattung stellen diese MOSFET-Module eine hervorragende Lösung für kompakte und leistungsstarke Systeme dar.
- Niedrige V DS(ON) und niedrige VSD
- Fortschrittliche 0,35μm Trench-Gate-MOSFET-Chiptechnologie
- R DS(ON) = 0,8m Ω (FM400TU-07A @ 25°C)
- Betrieb ohne Snubber-Schaltung möglich
- Avalanche-Fähigkeit ist beim Ausschalten und bei der Erholung garantiert
- Steueranschlüsse für Standardstecker
- Eingebauter Thermosensor (NTC)
- Hohe Zuverlässigkeit
- 100A (rms), 200A(rms) , 300A(rms) verfügbar in 75V, 100V und 150V in einem 6 in 1 kompakten Gehäuse
Mitsubishi Electric ist Technologieführer im Bereich der IGBT-Module - mittlerweile in der 7. Generation - und Intelligenten Power-Module (IPM). Der kompakte Aufbau bietet gerade für raue Umgebungsbedingungen wie in der Antriebstechnik deutliche Vorteile.
