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T-Serie - 7. Generation
7. Generation IGBT Module im 17-mm-NX-Gehäuse und im 62-mm-Standard-Gehäuse
In die IGBT Module der T-Serie sind sowohl Verbesserungen am IGBT-Chip als auch neue Technologien für den internen Modul und Gehäuseaufbau eingeflossen. Somit steht eine Modulserie zur Verfügung, bei der die Verlustleistungen weiter reduziert werden konnte und gleichzeitig die Power-Cycling und die Thermal-Cycling-Capabilityverbessert wurde. Beides führt zu höherer Robustheit und Langlebigkeit der Module.
Die Module stehen in zwei Gehäuse-Varianten zur Verfügung.
- 7. Generation IGBT-Chips
- Hilfs-C-Terminal verfügbar für n-side-IGBT
- Sehr guter thermischer Übergang durch Thick Metal Substrate (TMS)
- 4 kV rms Isolationsspannung
- Montagefertig mit neuartiger Wärmeleitpaste, die im Lieferzustand fest ist und nach Montage und Inbetriebnahme bei 45°C schmilzt
- Für 1200-V-Module: V(CEsat) (Chip) = 1,7 V (typ) @ T(j) = 25°C; große SOA @ V(cc) = 850 V
- Für 1700-V-Module: V(CEsat) (Chip) = 2,1 V (typ) @ T(j) = 25°C; große SOA @ V(cc) = 1200 V
- Mehr als 10 µs Kurzschlussfestigkeit und sehr gutes Verhalten bei Parallelschaltung
- Bis zu 600 A Schaltstrom im 62-mm-Standardgehäuse
- Neuer Freilaufdioden - Chip mit optimierten Trade-Off zwischen V(F) und E(rr)
- Tj(max) = 175°C
- Reduzierte Verlustleistung
- Reduziertes Rauschen
- Niedrige Durchlassspannung
- Schnellere Schaltzeiten
- Nur noch 17 mm Bauhöhe (neuer Industriestandard) oder Standard 62 mm
- Verbesserte Figure Of Merit (FOM)
Mitsubishi Electric ist Technologieführer im Bereich der IGBT-Module - mittlerweile in der 7. Generation - und Intelligenten Power-Module (IPM). Der kompakte Aufbau bietet gerade für raue Umgebungsbedingungen wie in der Antriebstechnik deutliche Vorteile.
