Verbindet 5. Generation CSTB(TM) (Carrier Stored Trench Gate Bipolar Transistor) Chip Technologie mit einem LPT (Light Punch-through) Wafer.
Standard Halbbrücken-Gehäuse entspricht der gut eingeführten H-Serie
Sehr guter thermischer Übergang durch AlN Isolations-Substrat
Niedrige innere Induktivität
auch erhältlich als Mega Power Dual IGBT Modul 1200V (900 & 1400A) und 1700V (1000A) für Höchstleistungs UPS, Distributed Power Generation and General Pupose Inverters (Chopper modules on request)
Mitsubishi Electric ist Technologieführer im Bereich der IGBT-Module - mittlerweile in der 7. Generation - und Intelligenten Power-Module (IPM). Der kompakte Aufbau bietet gerade für raue Umgebungsbedingungen wie in der Antriebstechnik deutliche Vorteile.
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Unsere Produkte passen in die verschiedensten Einsatzfelder. Falls kein für Sie passendes Produkt dabei ist, dann fragen Sie uns, wir werden auch Ihnen eine für Ihr Einsatzgebiet ideale Lösung anbieten können.