NX-Gehäuse (S-Serie, S1-Serie, SA-Serie)

Die NX-Gehäuse für IGBT-Module setzen Maßstäbe in der Leistungselektronik durch ihre kompakte Bauweise und hohe Effizienz. Mit Sperrspannungen von 1200 V und 1700 V sind sie für eine Vielzahl industrieller Anwendungen geeignet. Trotz ihrer Leistungsfähigkeit beträgt die Bauhöhe der Module lediglich 17 mm, was sie besonders platzsparend macht und neue Möglichkeiten im Design kompakter Systeme eröffnet.

Erhältlich sind die Module in verschiedenen Konfigurationen wie Dual-, Six- und Seven-Pack, wodurch sie flexibel in unterschiedlichsten Schaltungsdesigns eingesetzt werden können. Herzstück der NX-Module ist die IGBT-Technologie der 6. Generation mit CSTBT (Carrier Stored Trench Bipolar Transistor)-Chips, die für hohe Schaltleistung bei gleichzeitig reduzierter Verlustleistung sorgen.

Ein weiteres technisches Highlight ist das optionale Hilfs-C-Terminal auf der N-Seite des IGBTs, das eine verbesserte Ansteuerung ermöglicht. Für eine optimale thermische Anbindung sorgt das integrierte AlN-Isolationssubstrat (Aluminiumnitrid), das einen sehr guten thermischen Übergang gewährleistet und so die Wärmeableitung deutlich verbessert.

Durch die Kombination aus niedriger Durchlassspannung, reduziertem Rauschen und insgesamt verbesserter Figure of Merit (FOM) bieten die NX-Module eine ausgezeichnete Energieeffizienz und Zuverlässigkeit – ideal für anspruchsvolle Anwendungen, bei denen es auf Leistung, Kompaktheit und Betriebssicherheit gleichermaßen ankommt.