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2SC0106T

Dual-Channel SCALE-2+ Driver Core

Kostengünstige Hochleistungsalternative zu optokopplerbasierten Lösungen mit sicherer Isolation und ohne Parameterverschlechterung.

Der zweikanalige Gate-Treiberkern 2SC0106T, ausgestattet mit dem neuen SCALE-2+ Chipsatz, ist ein leistungsstarker zweikanaliger IGBT/MOSFET-Gate-Treiberkern für 1200-V-IGBTs im Leistungsbereich von 37 kW bis 110 kW. Der 2SC0106T treibt 600 V bis 1200 V IGBTs mit Kollektorströmen bis zu 450 A und schaltet mit Frequenzen bis zu 20 kHz.

Mit der neuen SCALE-2+ Technologie kann eine Softabschaltung (SSD) im Kurzschlussfall ohne zusätzliche Komponenten realisiert werden. Dies ist besonders vorteilhaft in Anwendungen mit geringer Streuinduktivität, bei denen ein vollständiges Advanced Active Clamping - eine von CONCEPT erfundene Methode zum kontrollierten Abschalten von IGBTs oder MOSFETs unter allen Umständen - nicht notwendig ist. UL-Recognized unter E321757 für UL508C und E346491 für UL60950-1 ist geplant

Sie haben Fragen zu unseren Produkten? Lassen Sie es uns wissen.
HY-LINE Technology GmbH
+49 89 614 503 10
sales@hy-line.de
  • Zweikanal driver core bis 1200 V
  • ±6A Gate Strom bei +15 V/-10 V
  • 1 W @ 85°C pro Kanal
  • On-board Stromversorgung
  • Hohe Zuverlässigkeit durch geringe Komponentenzahl
  • Erstklassige Isolierungs-Technologie
  • Isolierung teilentladungsgetestet
  • Verzögerung <100 ns, bis 20 kHz
  • Isolation nach IEC 61800-5-1 und IEC 60664-1
  • UL recognition (E321757 für UL508C und E346491 für UL60950-1)
  • -20°C bis +85°C (105°C mit Derating)
  • RoHS compliant

Power Integrations bietet hochintegrierte IGBT-Treiber. Basierend auf jahrzehntelanger Erfahrung wurden für die Treiber- und Überwachungsfunktionen ASICs entwickelt, die zusammen mit den induktiven Übertragern das Kernstück der Treiber bilden. Umfangreicher Applikationssupport beim Design wird angeboten.

Hochintegrierte Treiberbausteine: günstiger als diskrete Eigenentwicklung

MOSFETs und IGBTs sind im Gegensatz zu bipolaren Leistungshalbleitern angenehm mit wenig Leistung zu steuern. Doch müssen hohe Gate-Kapazitäten umgeladen und bei gestockten IGBTs für HGÜ (Hochspannungs-Gleichstrom-Übertragung) auch große Potentialdifferenzen überbrückt werden. Hinzu kommen Schutzfunktionen für die Leistungshalbleiter und eine negative Vorspannung zu sperrender IGBTs, damit diese nicht infolge von Transienten in Brückenschaltungen durchschalten und ausfallen können.

Angesichts der hohen Spannungen ist hier einiges Know-How erforderlich. So sind spezielle Vorschriften zu Isolationsabständen, Luft- und Kriechstrecken und der Teilentladungsfestigkeit einzuhalten und diese auch mit teuren Messgeräten zu überprüfen. Ebenso ist die Degradation des Platinensubstrats und die Migration von Metallionen in diesem zu berücksichtigen, die andernfalls zu vorzeitigen Kurzschlüssen und Totalausfällen führen kann.

Statt aufwendige eigene Entwicklungen zu starten, ist es hier sinnvoll, erprobte, sichere unter Verwendung eigens entwickelter, monolithisch hochintegrierter Halbleiterbausteine sowie eigener Planar-Übertrager designte Treibermodule zu verwenden, wie sie Power Integrations unter der Bezeichnung SCALE (steht für Scaleable, Compact, All-purpose, Low-cost and Easy-to-use) anbietet. Power Integrations, zuvor CONCEPT, entwickelt seit über 30 Jahren IGBT-Treiberlösungen und verfügt deshalb über unerreichte Erfahrung mit dieser Thematik.

Die SCALE-Bausteine werden mit Standard-Logikpegeln von 3,3 bis 15 V angesteuert und sind im IGBT-Bereich sehr wirtschaftlich: Sie sind günstiger und zuverlässiger als konventionelle, diskrete Schaltungsdesigns, insbesondere, wenn es um die Ansteuerung von Hochvolt-IGBTs geht. Damit bietet HY-LINE Power Components Ihnen alles rund um Wechselrichter und Hochleistungs-DC/DC-Wandler aus einer Hand.

Es gibt von Power Integrations einerseits allgemeine Module, die SCALE Driver Cores, und andererseits auf bestimmte IGBT-Module angepasste Bausteine, die SCALE Plug-and-Play Driver. Hinzu kommen die monolithisch integrierten SCALE iDriver-Chips.



Konfiguration
Gate-Strom
Ausgangsleistg./ Kanal
Sperrspan. (max)
Schaltfrequenz
SiC Mosfets
Conformal Coating

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