SIC-, GaN-FETs, MOSFETs

Sowohl im Schaltnetzteil als auch in der Leistungselektronik entsteht ein Großteil der Verluste im Leistungsschalter. Um Schaltverluste und Durchlassverluste der Leistungsschalter zu verringern, werden die Technologien für den Aufbau der Schalter weiterentwickelt. Je nach Anforderung stehen verschiedene Topologien für den Aufbau des Halbleiters im Leistungsschalter zur Verfügung:

MOSFET auf Silizium-Basis
Dieses Arbeitspferd der Elektronik steht für verschiedene Spannungen und Ströme zur Verfügung. Es ist eine ausgereifte Technologie zu einem guten Preis-/Leistungsverhältnis.

HEMT (High Electron Mobility Transistor): FET auf GaN-Basis
Diese neue Technologie eignet sich besonders für hohe Schaltfrequenzen. Sie bietet deutlich geringere Verluste und ermöglicht dadurch kompaktere Geräte und bessere Wirkungsgrade.

SiC-Schalter
Siliziumkarbid SiC ist besonders verlustarm und schnell bei hohen Schaltspannungen.

WHITEPAPER: SiC-MOSFETs ansteuern

Referenzdesign mit SCALE iDriver für Siliziumkarbid-MOSFETs und Induktivitäten für High- und Lowside-Versorgung

Wie können die neuen SiC-Leistungsschalter richtig und sicher angesteuert werden? Dieses Referenzdesign führt zu schnellen Entwicklungserfolgen.

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